Formation by PECVD of very thin silicon oxynitride [SIOxNy] layers technology and characterisation

• Autorzy: Beck R.B. , Cuch M. , Wojtkiewicz A. , Kudla A. , Jakubowski A.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

PL

Słowa kluczowe

EN

formation; PE-CVD process; process optimization; thin layer; silicon oxynitride

• Wydawca: -
• Czasopismo: Acta Agrophysica
• Rocznik: 2002
• Tom: 80
• Opis fizyczny: p.257-266,fig.,ref.

Twórcy

autor

Beck R.B.

• Warsaw University of Technology, Koszykowa 75, 00-662 Warsaw, Poland

autor

Cuch M.

autor

Wojtkiewicz A.

autor

Kudla A.

autor

Jakubowski A.