Przejdź do menu głównego
Przejdź do treści
PL
|
EN
Szukaj
Przeglądaj
Pomoc
O nas
test
PL
EN
BibTeX
PN-ISO 690:2012
Chicago
Chicago (Autor-Data)
Harvard
ACS
ACS (bez tytułu art.)
IEEE
Preferencje
Polski
English
Język
Widoczny
[Schowaj]
Abstrakt
10
20
50
100
Liczba wyników
Artykuł - szczegóły
Narzędzia
PL
EN
BibTeX
PN-ISO 690:2012
Chicago
Chicago (Autor-Data)
Harvard
ACS
ACS (bez tytułu art.)
IEEE
Adres strony
Kopiuj
Czasopismo
World Scientific News
2018
|
113
|
Tytuł artykułu
Capacitance/resistance rodeling and analog performance evaluation of 3-D SOI FinFET structure for circuit perspective applications
Autorzy
Jain N.
,
Raj B.
Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
Słowa kluczowe
Wydawca
-
Czasopismo
World Scientific News
Rocznik
2018
Tom
113
Opis fizyczny
p.194-209,fig.,ref.
Twórcy
autor
Jain N.
Department of Electronics and Communication Engineering, Dr. B.R. Ambedkar National Institute of Technology (NIT), 144011 Jalandhar (Punjab), India
autor
Raj B.
Department of Electronics and Communication Engineering, Dr. B.R. Ambedkar National Institute of Technology (NIT), 144011 Jalandhar (Punjab), India
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.agro-2add36a3-0a95-4d49-af81-61b8b3b33643
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.